동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)는 데이터의 각 비트를 메모리 셀에 저장하는 반도체 메모리 유형으로, 일반적으로 금속 산화물 반도체(MOS) 기술을 기반으로 한 작은 커패시터와 트랜지스터로 구성된다. 대부분의 DRAM 메모리 셀 설계는 커패시터와 트랜지스터를 사용하지만, 일부는 두 개의 트랜지스터만 사용한다. 커패시터를 사용하는 설계에서는 커패시터가 충전되거나 방전될 수 있으며, 이 두 상태는 비트의 두 값을 나타낸다. 충전된 커패시터는 1을, 방전된 커패시터는 0을 나타낸다. 커패시터의 전기적 충전은 서서히 사라지며, 개입하지 않으면 커패시터에 저장된 데이터는 곧 사라진다. 이를 방지하기 위해 DRAM은 외부 메모리 새로 고침 회로를 필요로 하며, 이 회로는 주기적으로 커패시터에 저장된 데이터를 다시..
