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Computer 129

ATX (폼 팩터) [ATX (form factor)]

ATX(Advanced Technology Extended)는 1995년 인텔에서 데이비드 덴트가 이전의 AT 디자인을 개선하기 위해 특허를 받은 마더보드 및 전원 공급 장치 구성 사양이다. 이는 여러 해 동안 데스크탑 컴퓨터 외형, 마더보드, 전원 공급 장치 설계에서 일어난 첫 번째 주요 변경으로, 부품의 표준화와 호환성을 개선했다. 이 사양은 컴퓨터 케이스, 마더보드, 전원 공급 장치 간의 치수, 장착 지점, I/O 패널, 전원 및 커넥터 인터페이스를 정의한다. ATX는 가장 일반적인 마더보드 설계로, 마이크로ATX, FlexATX, 나노-ITX, 미니-ITX와 같은 소형 보드들을 포함한 다른 표준들도 기본적인 후면 레이아웃을 유지하지만 보드 크기와 확장 슬롯 수를 줄인다. 풀 사이즈 ATX 보드의 ..

Computer/M|B 2025.01.22

AT (폼 팩터) [AT (form factor)]

IBM 호환 개인용 컴퓨터 시대에서 AT 폼 팩터는 IBM AT의 마더보드 크기와 레이아웃을 의미한다. 베이비 AT 마더보드는 조금 더 작은 크기로, 8.5인치 x 13인치 크기를 가진다. IBM PC와 IBM XT 모델들이 등장한 이후, 많은 제3자 제조업체들이 IBM AT 폼 팩터와 호환되는 마더보드를 생산하여 사용자가 더 빠른 프로세서로 업그레이드할 수 있게 했다. IBM AT는 1980년대 가정용 컴퓨터 시장에서 널리 복제된 디자인이 되었으며, 당시 IBM 클론 컴퓨터들이 AT 호환 설계를 채택하면서 그 인기가 더욱 확산되었다. 1990년대에도 많은 컴퓨터들이 여전히 AT와 그 변형을 사용했다. 그러나 1997년 이후로 AT 폼 팩터는 주로 ATX 폼 팩터로 대체되었다.  AT 마더보드, 후에 "..

Computer/M|B 2025.01.21

XT (폼 팩터) [XT (form factor)]

IBM PC/XT의 마더보드는 원래 IBM PC 모델 5150에서 개선된 설계가 적용되었다. XT 마더보드는 다음과 같은 주요 특징을 가지고 있다:확장 슬롯: 원래 IBM PC의 5개에서 8개로 확장되었다. 슬롯 간격이 좁아 일부 다중 보드 카드는 설치할 수 없으며, 하드 드라이브 뒤쪽의 두 슬롯은 풀 길이 카드를 지원하지 않는다.기본 RAM: 최소 128KB로 증가하여 더 많은 메모리를 지원했다.ROM: 2개의 32KB ROM IC로 대체되었으며, 이전의 5개의 8KB ROM IC보다 용량이 커졌다.플로피 디스크: PC DOS 2.0과 9섹터 포맷을 지원하며, 180K/360K(단면/양면) 용량을 제공했다.부동소수점 산술 코프로세서: 인텔 8087 코프로세서용 소켓이 포함되어, 이를 설치하면 컴퓨터 지..

Computer/M|B 2025.01.20

마더보드 [M/B (MotherBoard or MainBoard)]

마더보드(또는 메인보드, 메인 회로 기판, MB, 모보, 베이스 보드, 시스템 보드, 애플 컴퓨터에서는 로직 보드라고도 불림)는 일반적인 컴퓨터와 확장 가능한 시스템에서 주요한 인쇄 회로 기판(PCB)이다. 이 보드는 시스템의 중요한 전자 부품인 중앙 처리 장치(CPU)와 메모리 간의 통신을 가능하게 하며, 다른 주변 장치들과 연결할 수 있는 커넥터를 제공한다. 백플레인(backplane)과는 달리, 마더보드는 일반적으로 CPU, 칩셋의 입출력 및 메모리 컨트롤러, 인터페이스 커넥터 및 다른 일반적인 용도로 통합된 부품과 같은 중요한 하위 시스템을 포함한다.  마더보드는 확장 기능을 갖춘 PCB를 의미한다. 이름에서 알 수 있듯이, 이 보드는 이를 연결하는 모든 부품들의 '어머니'로 불리며, 여기에는 사..

Computer/M|B 2025.01.19

솔리드 스테이트 드라이브 [SSD (Solid-state drive)]

SSD(솔리드 스테이트 드라이브)는 데이터를 지속적으로 저장하는 반도체 저장 장치이다. 일반적으로 NAND 플래시를 사용하여 데이터를 메모리 셀에 저장하며, SLC(싱글 레벨 셀)부터 QLC(쿼드 레벨 셀)까지 다양한 셀 유형에 따라 성능과 내구성이 달라진다. SSD는 HDD와 달리 이동 부품이 없어 데이터 접근 속도가 빠르고, 지연 시간이 짧으며, 물리적 충격에 강하고, 전력 소비가 적고, 소음이 없다. SSD는 다양한 장치에서 사용되며, 일반적으로 컴퓨터, 서버 및 모바일 기기에서 볼 수 있다. 가격이 상대적으로 비쌌지만, 성능을 중시하는 애플리케이션에서는 점점 더 많이 사용되고 있다. 그러나 SSD는 쓰기 주기가 제한적이어서 시간이 지나면 데이터 손실이 발생할 수 있다. 이로 인해 여전히 가격 대비..

Computer/SSD 2025.01.18

하드 디스크 드라이브 [HDD (Hard disk drive)]

하드 디스크 드라이브(HDD)는 자기 저장 방식을 사용하여 데이터를 저장하고 검색하는 전자기학적 데이터 저장 장치이다. HDD는 하나 이상의 회전하는 플래터에 자성 물질을 코팅하여 데이터를 저장하며, 이 플래터와 함께 자석 헤드가 장착된 액추에이터 암이 데이터를 읽고 쓴다. 데이터는 임의 접근 방식으로 처리되므로, 데이터를 어떤 순서로든 저장하고 검색할 수 있다. HDD는 비휘발성 저장 장치로, 전원이 꺼져도 저장된 데이터를 유지한다. 현대의 HDD는 일반적으로 작은 직사각형 박스 형태로 제작된다. HDD는 1956년 IBM에 의해 처음 소개되었으며, 1960년대 초반부터 일반 컴퓨터의 보조 저장 장치로 주류를 차지했다. 현재는 서버와 개인용 컴퓨터에서 여전히 중요한 저장 장치로 사용되지만, 모바일폰이나..

Computer/HDD 2025.01.17

더블 데이터 레이트 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 [DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)]

DDR SDRAM(더블 데이터 레이트 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리)은 컴퓨터에서 사용되는 메모리 집합체로, DDR1 SDRAM이라고도 불린다. DDR SDRAM은 DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 SDRAM으로 대체되었으며, 그 후속 제품들은 DDR1 SDRAM과 호환되지 않는다. 즉, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 메모리 모듈은 DDR1 장착된 마더보드에서 작동하지 않으며, 그 반대도 마찬가지이다. DDR SDRAM은 SDR SDRAM과 비교하여 전송 속도를 높일 수 있다. 이는 전기 데이터와 클럭 신호의 타이밍을 더 엄격하게 제어하기 때문이다. 전송 방식은 더블 펌핑(Double Pumping)을 사용하여, 클럭 신호의 상승 및 하강 엣지에서 데이터를 전송함으로써 클럭 주파수를 ..

Computer/RAM 2025.01.16

동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 [SDRAM (Synchronous dynamic random-access memory)]

동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(Synchronous Dynamic RAM 또는 SDRAM)는 외부 클록 신호에 의해 외부 핀 인터페이스의 동작이 조정되는 모든 DRAM이다. 1970년대 초반부터 1990년대 초반까지 생산된 DRAM 집적 회로(IC)는 비동기식 인터페이스를 사용했으며, 입력 제어 신호는 반도체 경로를 통해 이동하는 시간만큼 지연되어 내부 기능에 직접적인 영향을 미쳤다. SDRAM은 동기식 인터페이스를 가지고 있으며, 제어 입력의 변화는 클록 입력의 상승 엣지 이후에 인식된다. JEDEC에 의해 표준화된 SDRAM 계열에서는 클록 신호가 내부 유한 상태 기계의 동작을 제어하며, 이 기계는 들어오는 명령에 반응한다. 이러한 명령은 성능을 향상시키기 위해 파이프라인 처리될 수 있으며, 이전에..

Computer/RAM 2025.01.15

동적 랜덤 액세스 메모리 [DRAM (Dynamic random-access memory)]

동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)는 데이터의 각 비트를 메모리 셀에 저장하는 반도체 메모리 유형으로, 일반적으로 금속 산화물 반도체(MOS) 기술을 기반으로 한 작은 커패시터와 트랜지스터로 구성된다. 대부분의 DRAM 메모리 셀 설계는 커패시터와 트랜지스터를 사용하지만, 일부는 두 개의 트랜지스터만 사용한다. 커패시터를 사용하는 설계에서는 커패시터가 충전되거나 방전될 수 있으며, 이 두 상태는 비트의 두 값을 나타낸다. 충전된 커패시터는 1을, 방전된 커패시터는 0을 나타낸다. 커패시터의 전기적 충전은 서서히 사라지며, 개입하지 않으면 커패시터에 저장된 데이터는 곧 사라진다. 이를 방지하기 위해 DRAM은 외부 메모리 새로 고침 회로를 필요로 하며, 이 회로는 주기적으로 커패시터에 저장된 데이터를 다시..

Computer/RAM 2025.01.14

정적 랜덤 액세스 메모리 [SRAM (Static random-access memory) / 1963 ~ ]

정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM)는 각 비트를 저장하기 위해 래칭 회로(플립플롭)를 사용하는 일종의 랜덤 액세스 메모리(RAM)이다. SRAM은 휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 데이터가 사라진다. ‘정적’이라는 용어는 SRAM을 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)와 구분짓는 특성을 의미한다. SRAM은 전원이 공급되는 동안 데이터를 영구적으로 유지하지만, DRAM은 몇 초 이내에 데이터가 휘발되므로 주기적으로 리프레시(refresh)해야 한다. SRAM은 DRAM보다 빠르지만 실리콘 면적과 비용 측면에서 더 비쌌다. 일반적으로 SRAM은 CPU의 캐시 및 내부 레지스터에 사용되며, DRAM은 컴퓨터의 주요 메모리로 사용된다.  SRAM은 1963년 Fairchild Semiconductor의 Rober..

Computer/RAM 2025.01.13
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