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동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(Synchronous Dynamic RAM 또는 SDRAM)는 외부 클록 신호에 의해 외부 핀 인터페이스의 동작이 조정되는 모든 DRAM이다. 1970년대 초반부터 1990년대 초반까지 생산된 DRAM 집적 회로(IC)는 비동기식 인터페이스를 사용했으며, 입력 제어 신호는 반도체 경로를 통해 이동하는 시간만큼 지연되어 내부 기능에 직접적인 영향을 미쳤다. SDRAM은 동기식 인터페이스를 가지고 있으며, 제어 입력의 변화는 클록 입력의 상승 엣지 이후에 인식된다. JEDEC에 의해 표준화된 SDRAM 계열에서는 클록 신호가 내부 유한 상태 기계의 동작을 제어하며, 이 기계는 들어오는 명령에 반응한다. 이러한 명령은 성능을 향상시키기 위해 파이프라인 처리될 수 있으며, 이전에..

동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)는 데이터의 각 비트를 메모리 셀에 저장하는 반도체 메모리 유형으로, 일반적으로 금속 산화물 반도체(MOS) 기술을 기반으로 한 작은 커패시터와 트랜지스터로 구성된다. 대부분의 DRAM 메모리 셀 설계는 커패시터와 트랜지스터를 사용하지만, 일부는 두 개의 트랜지스터만 사용한다. 커패시터를 사용하는 설계에서는 커패시터가 충전되거나 방전될 수 있으며, 이 두 상태는 비트의 두 값을 나타낸다. 충전된 커패시터는 1을, 방전된 커패시터는 0을 나타낸다. 커패시터의 전기적 충전은 서서히 사라지며, 개입하지 않으면 커패시터에 저장된 데이터는 곧 사라진다. 이를 방지하기 위해 DRAM은 외부 메모리 새로 고침 회로를 필요로 하며, 이 회로는 주기적으로 커패시터에 저장된 데이터를 다시..