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DDR SDRAM(더블 데이터 레이트 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리)은 컴퓨터에서 사용되는 메모리 집합체로, DDR1 SDRAM이라고도 불린다. DDR SDRAM은 DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 SDRAM으로 대체되었으며, 그 후속 제품들은 DDR1 SDRAM과 호환되지 않는다. 즉, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 메모리 모듈은 DDR1 장착된 마더보드에서 작동하지 않으며, 그 반대도 마찬가지이다. DDR SDRAM은 SDR SDRAM과 비교하여 전송 속도를 높일 수 있다. 이는 전기 데이터와 클럭 신호의 타이밍을 더 엄격하게 제어하기 때문이다. 전송 방식은 더블 펌핑(Double Pumping)을 사용하여, 클럭 신호의 상승 및 하강 엣지에서 데이터를 전송함으로써 클럭 주파수를 ..

동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(Synchronous Dynamic RAM 또는 SDRAM)는 외부 클록 신호에 의해 외부 핀 인터페이스의 동작이 조정되는 모든 DRAM이다. 1970년대 초반부터 1990년대 초반까지 생산된 DRAM 집적 회로(IC)는 비동기식 인터페이스를 사용했으며, 입력 제어 신호는 반도체 경로를 통해 이동하는 시간만큼 지연되어 내부 기능에 직접적인 영향을 미쳤다. SDRAM은 동기식 인터페이스를 가지고 있으며, 제어 입력의 변화는 클록 입력의 상승 엣지 이후에 인식된다. JEDEC에 의해 표준화된 SDRAM 계열에서는 클록 신호가 내부 유한 상태 기계의 동작을 제어하며, 이 기계는 들어오는 명령에 반응한다. 이러한 명령은 성능을 향상시키기 위해 파이프라인 처리될 수 있으며, 이전에..

동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)는 데이터의 각 비트를 메모리 셀에 저장하는 반도체 메모리 유형으로, 일반적으로 금속 산화물 반도체(MOS) 기술을 기반으로 한 작은 커패시터와 트랜지스터로 구성된다. 대부분의 DRAM 메모리 셀 설계는 커패시터와 트랜지스터를 사용하지만, 일부는 두 개의 트랜지스터만 사용한다. 커패시터를 사용하는 설계에서는 커패시터가 충전되거나 방전될 수 있으며, 이 두 상태는 비트의 두 값을 나타낸다. 충전된 커패시터는 1을, 방전된 커패시터는 0을 나타낸다. 커패시터의 전기적 충전은 서서히 사라지며, 개입하지 않으면 커패시터에 저장된 데이터는 곧 사라진다. 이를 방지하기 위해 DRAM은 외부 메모리 새로 고침 회로를 필요로 하며, 이 회로는 주기적으로 커패시터에 저장된 데이터를 다시..

정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM)는 각 비트를 저장하기 위해 래칭 회로(플립플롭)를 사용하는 일종의 랜덤 액세스 메모리(RAM)이다. SRAM은 휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 데이터가 사라진다. ‘정적’이라는 용어는 SRAM을 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)와 구분짓는 특성을 의미한다. SRAM은 전원이 공급되는 동안 데이터를 영구적으로 유지하지만, DRAM은 몇 초 이내에 데이터가 휘발되므로 주기적으로 리프레시(refresh)해야 한다. SRAM은 DRAM보다 빠르지만 실리콘 면적과 비용 측면에서 더 비쌌다. 일반적으로 SRAM은 CPU의 캐시 및 내부 레지스터에 사용되며, DRAM은 컴퓨터의 주요 메모리로 사용된다.  SRAM은 1963년 Fairchild Semiconductor의 Rober..

랜덤 액세스 메모리(RAM; /ræm/)는 컴퓨터의 전자 메모리 형태이다. 이는 데이터를 읽거나 변경하는 순서에 관계없이 저장할 수 있는 메모리이다. 일반적으로 작업 데이터와 기계 코드 저장에 사용된다. 랜덤 액세스 메모리 장치는 데이터 항목을 읽거나 쓸 때, 물리적 위치에 관계없이 거의 동일한 시간 내에 처리할 수 있는 특징이 있다. 이는 하드 디스크나 자기 테이프와 같은 다른 직접 액세스 저장 매체와 대비되는데, 이들 매체에서는 데이터 항목을 읽거나 쓰는 데 걸리는 시간이 물리적 위치에 따라 달라진다. 이는 미디어 회전 속도나 팔 움직임과 같은 기계적 제한 때문이다. 오늘날의 기술에서는 랜덤 액세스 메모리가 MOS(금속-산화물-반도체) 메모리 셀이 탑재된 집적 회로(IC) 칩 형태이다. RAM은 일반..