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더블 데이터 레이트 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 [DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)]

DDR SDRAM(더블 데이터 레이트 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리)은 컴퓨터에서 사용되는 메모리 집합체로, DDR1 SDRAM이라고도 불린다. DDR SDRAM은 DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 SDRAM으로 대체되었으며, 그 후속 제품들은 DDR1 SDRAM과 호환되지 않는다. 즉, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 메모리 모듈은 DDR1 장착된 마더보드에서 작동하지 않으며, 그 반대도 마찬가지이다. DDR SDRAM은 SDR SDRAM과 비교하여 전송 속도를 높일 수 있다. 이는 전기 데이터와 클럭 신호의 타이밍을 더 엄격하게 제어하기 때문이다. 전송 방식은 더블 펌핑(Double Pumping)을 사용하여, 클럭 신호의 상승 및 하강 엣지에서 데이터를 전송함으로써 클럭 주파수를 ..

Computer/RAM 2025.01.16

동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 [SDRAM (Synchronous dynamic random-access memory)]

동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(Synchronous Dynamic RAM 또는 SDRAM)는 외부 클록 신호에 의해 외부 핀 인터페이스의 동작이 조정되는 모든 DRAM이다. 1970년대 초반부터 1990년대 초반까지 생산된 DRAM 집적 회로(IC)는 비동기식 인터페이스를 사용했으며, 입력 제어 신호는 반도체 경로를 통해 이동하는 시간만큼 지연되어 내부 기능에 직접적인 영향을 미쳤다. SDRAM은 동기식 인터페이스를 가지고 있으며, 제어 입력의 변화는 클록 입력의 상승 엣지 이후에 인식된다. JEDEC에 의해 표준화된 SDRAM 계열에서는 클록 신호가 내부 유한 상태 기계의 동작을 제어하며, 이 기계는 들어오는 명령에 반응한다. 이러한 명령은 성능을 향상시키기 위해 파이프라인 처리될 수 있으며, 이전에..

Computer/RAM 2025.01.15

동적 랜덤 액세스 메모리 [DRAM (Dynamic random-access memory)]

동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)는 데이터의 각 비트를 메모리 셀에 저장하는 반도체 메모리 유형으로, 일반적으로 금속 산화물 반도체(MOS) 기술을 기반으로 한 작은 커패시터와 트랜지스터로 구성된다. 대부분의 DRAM 메모리 셀 설계는 커패시터와 트랜지스터를 사용하지만, 일부는 두 개의 트랜지스터만 사용한다. 커패시터를 사용하는 설계에서는 커패시터가 충전되거나 방전될 수 있으며, 이 두 상태는 비트의 두 값을 나타낸다. 충전된 커패시터는 1을, 방전된 커패시터는 0을 나타낸다. 커패시터의 전기적 충전은 서서히 사라지며, 개입하지 않으면 커패시터에 저장된 데이터는 곧 사라진다. 이를 방지하기 위해 DRAM은 외부 메모리 새로 고침 회로를 필요로 하며, 이 회로는 주기적으로 커패시터에 저장된 데이터를 다시..

Computer/RAM 2025.01.14

정적 랜덤 액세스 메모리 [SRAM (Static random-access memory) / 1963 ~ ]

정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM)는 각 비트를 저장하기 위해 래칭 회로(플립플롭)를 사용하는 일종의 랜덤 액세스 메모리(RAM)이다. SRAM은 휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 데이터가 사라진다. ‘정적’이라는 용어는 SRAM을 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)와 구분짓는 특성을 의미한다. SRAM은 전원이 공급되는 동안 데이터를 영구적으로 유지하지만, DRAM은 몇 초 이내에 데이터가 휘발되므로 주기적으로 리프레시(refresh)해야 한다. SRAM은 DRAM보다 빠르지만 실리콘 면적과 비용 측면에서 더 비쌌다. 일반적으로 SRAM은 CPU의 캐시 및 내부 레지스터에 사용되며, DRAM은 컴퓨터의 주요 메모리로 사용된다.  SRAM은 1963년 Fairchild Semiconductor의 Rober..

Computer/RAM 2025.01.13

바이폴라 CMOS [BiCMOS]

BiCMOS(바이폴라 CMOS)는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)와 CMOS(상보성 금속 산화물 반도체) 논리 게이트 두 가지 반도체 기술을 하나의 집적 회로로 통합한 반도체 기술이다. 최근에는 바이폴라 공정이 실리콘-게르마늄 접합을 이용한 고속 이동도 장치를 포함하는 방향으로 확장되었다. 바이폴라 트랜지스터는 고속, 고이득, 낮은 출력 임피던스를 제공하며, 각 장치의 전력 소비가 상대적으로 높지만, 몇 개의 활성 장치만 사용하는 고주파 아날로그 증폭기와 저잡음 라디오 주파수(RF) 증폭기에서 뛰어난 특성을 보인다. 반면, CMOS 기술은 고입력 임피던스를 제공하고, 대규모 저전력 논리 게이트를 구축하는 데 매우 유리하다. BiCMOS 공정에서는 도핑 프로필과 다른 공정 특성을 조정하여 CMOS 또는 ..

Computer/RAM 2025.01.12

금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터 [MOSFET / 1925 ~ ]

금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET, MOS-FET, MOS 트랜지스터)는 전계 효과 트랜지스터(FET)의 일종으로, 주로 실리콘의 제어된 산화 과정을 통해 제작된다. 이 트랜지스터는 절연된 게이트를 가지고 있으며, 이 게이트의 전압이 장치의 전도성을 결정한다. 적용된 전압에 따라 전도성을 변화시킬 수 있는 이 특성은 전자 신호를 증폭하거나 스위칭하는 데 사용될 수 있다. 금속-절연체-반도체 전계 효과 트랜지스터(MISFET)라는 용어는 거의 MOSFET과 동의어로 사용되며, 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(IGFET)도 비슷한 의미를 가진다. MOSFET의 주요 장점은 입력 전류가 거의 필요 없다는 것이다. 이는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)와 비교할 때 장치의 부하 전류를 제어..

Computer/RAM 2025.01.11

Radeon RX 9000 [AMD | 2025]

Radeon RX 9000 시리즈는 AMD가 개발한 소비자용 그래픽 처리 장치로, RDNA 아키텍처를 기반으로 하며 주류 시장을 대상으로 한다. 이 시리즈는 Radeon RX 7000 시리즈의 후속 제품이다.  배경 2024년 10월, AMD의 2024년 3분기 실적 발표에서 RDNA 4가 2025년 초에 출시될 것이라고 확인되었으며, 리사 수 CEO는 RDNA 4 아키텍처가 "훨씬 향상된 레이 트레이싱 성능과 새로운 AI 기능을 제공한다"고 말했다. 2024년 12월, AMD는 Call of Duty: Black Ops 6와 관련된 광고 캠페인에서 Ryzen 9 프로세서와 함께 Radeon RX 9070 XT 레퍼런스 디자인을 보여주었다. 2025년 1월 6일, AMD는 라스베이거스에서 열린 CES 키..

Computer/GPU 2025.01.10

바이폴라 접합 트랜지스터 [Bipolar junction transistor / December 1947]

BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)는 전자와 전자 구멍 두 가지 전하 운반체를 사용하는 트랜지스터의 일종이다. 반면, FET(필드 효과 트랜지스터)와 같은 단극 트랜지스터는 한 종류의 전하 운반체만 사용한다. 바이폴라 트랜지스터는 하나의 터미널에 주입된 작은 전류가 나머지 두 터미널 사이의 훨씬 더 큰 전류를 제어할 수 있게 해 주므로 증폭 또는 스위칭이 가능하다. BJT는 두 개의 p-n 접합을 n형과 p형 반도체로 이루어진 영역 사이에 사용한다. 이 접합은 반도체 물질이 성장할 때 도핑을 변경하거나 금속 펠렛을 증착하여 합금 접합을 형성하거나 n형 및 p형 도핑 물질을 결정에 확산시키는 등의 방법으로 만들 수 있다. 접합 트랜지스터의 우수한 예측 가능성과 성능은 원래의 점접촉 트랜지스터를 빠르게 대체했..

Computer/RAM 2025.01.09

GeForce RTX 50 [Nvidia | 2025]

GeForce RTX 50 시리즈는 Nvidia가 개발한 다가오는 소비자용 그래픽 처리 장치 시리즈이다. 2025년 CES에서 발표되었으며, 2025년 1월 30일 RTX 5080과 RTX 5090이 출시될 예정이다. 이 카드는 Nvidia의 블랙웰 아키텍처를 기반으로 하며, Nvidia RTX의 4세대 RT 코어를 사용하여 실시간 레이 트레이싱을 하드웨어 가속으로 처리하고, 5세대 텐서 코어를 탑재해 AI 연산과 부동 소수점 계산을 수행한다. 배경 2022년 9월 20일, Nvidia는 Ada Lovelace 아키텍처를 탑재한 GeForce RTX 40 시리즈를 발표했다. Ada Lovelace 아키텍처는 더 높은 그래픽 주파수와 좁은 메모리 버스 폭을 보완하기 위한 대형 L2 캐시를 구현했다. 202..

Computer/GPU 2025.01.08

램 [Random-access memory]

랜덤 액세스 메모리(RAM; /ræm/)는 컴퓨터의 전자 메모리 형태이다. 이는 데이터를 읽거나 변경하는 순서에 관계없이 저장할 수 있는 메모리이다. 일반적으로 작업 데이터와 기계 코드 저장에 사용된다. 랜덤 액세스 메모리 장치는 데이터 항목을 읽거나 쓸 때, 물리적 위치에 관계없이 거의 동일한 시간 내에 처리할 수 있는 특징이 있다. 이는 하드 디스크나 자기 테이프와 같은 다른 직접 액세스 저장 매체와 대비되는데, 이들 매체에서는 데이터 항목을 읽거나 쓰는 데 걸리는 시간이 물리적 위치에 따라 달라진다. 이는 미디어 회전 속도나 팔 움직임과 같은 기계적 제한 때문이다. 오늘날의 기술에서는 랜덤 액세스 메모리가 MOS(금속-산화물-반도체) 메모리 셀이 탑재된 집적 회로(IC) 칩 형태이다. RAM은 일반..

Computer/RAM 2025.01.07
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